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Título : Influencia de la razón de concentración de impurezas del material en el acoplamiento cuasi-degenerado de dos ondas en cristales fotorrefractivos.
Autor : Barrera Piñeros, Braiyans Miguel.
Palabras clave : Cristales fotorrefractivos, mezcla de dos ondas, intercambio energético, razón de concentración.
Fecha de publicación : 2016
Editorial : Universidad de Pamplona – Facultad de Ciencias Básicas.
Citación : Barrera Piñeros, B. M. (2016). Influencia de la razón de concentración de impurezas del material en el acoplamiento cuasi-degenerado de dos ondas en cristales fotorrefractivos [Trabajo de Grado Pregrado, Universidad de Pamplona]. Repositorio Hulago Universidad de Pamplona. http://repositoriodspace.unipamplona.edu.co/jspui/handle/20.500.12744/1131
Descripción : En este trabajo se presenta el estudio teórico del acoplamiento degenerado y cuasi-degenerado de dos ondas en cristales fotorrefractivos. En el caso del intercambio energético de la mezcla de dos ondas cuasi-degenerado en cristales fotorrefractivos para altas frecuencias, se presentan resultados que evidencian la influencia que tienen los diferentes parámetros como: la razón de concentración de impurezas del material, la diferencia de oscilación entre las ondas incidentes, campo de saturación, campo drift, y campo de difusión en el intercambio energético. Para la obtención de los resultados teóricos se tomó un cristal BSO y un cristal BaTiO3.
URI : http://repositoriodspace.unipamplona.edu.co/jspui/handle/20.500.12744/1131
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